商品介绍
TO247；N—Channel沟道,200V；96A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
参数规格
数据手册
VBP1202N 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBP1202N相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBP1202N 封装/规格：SOT223 , TO247；N—Channel沟道,200V；96A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；。您可以在 MOS(场效应管) VBP1202N 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBP1202N详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
