商品介绍
SOT223；N—Channel沟道,150V；3A；RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
VBJ1152M 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBJ1152M相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBJ1152M 封装/规格：SOT223 , SOT223；N—Channel沟道,150V；3A；RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VBJ1152M 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBJ1152M详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
