商品介绍
N沟道；电压：100V；电流：18A；导通电阻：127(mΩ)
参数规格
数据手册
VBM1101M 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBM1101M相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBM1101M 封装/规格：SOT23-6 , N沟道；电压：100V；电流：18A；导通电阻：127(mΩ)。您可以在 MOS(场效应管) VBM1101M 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBM1101M详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
