商品介绍
TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
参数规格
数据手册
VBMB1104N 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBMB1104N相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBMB1104N 封装/规格：TO-252 , TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) VBMB1104N 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBMB1104N详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
