商品介绍
TO262；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
参数规格
VBN1695 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBN1695相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBN1695 封装/规格：SOT23-3 , TO262；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；。您可以在 MOS(场效应管) VBN1695 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBN1695详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
