商品介绍
TO247；N—Channel沟道；VDS=80V；ID =215A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3.5V；
参数规格
RU6199Q-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供RU6199Q-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 RU6199Q-VB 封装/规格：TO247 , TO247；N—Channel沟道；VDS=80V；ID =215A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3.5V；。您可以在 MOS(场效应管) RU6199Q-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解RU6199Q-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
