商品介绍
2个N沟道 漏源电压(VDSS)：30V 连续漏极电流(ID)：12.0A 功率(PD)：3.0W 导通电阻(RDS(O
参数规格
VS3645DE-G 由 ELECSUPER/静芯微 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VS3645DE-G相关产品信息及供货商联系方式。ELECSUPER/静芯微 VS3645DE-G 封装/规格：PDFN3*3-8L , 2个N沟道 漏源电压(VDSS)：30V 连续漏极电流(ID)：12.0A 功率(PD)：3.0W 导通电阻(RDS(O。您可以在 MOS(场效应管) VS3645DE-G 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VS3645DE-G详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
