商品介绍
N沟道 漏源电压(VDSS)：100V 连续漏极电流(ID)：8A 功率(PD)：2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V
参数规格
ESP10N10 由 ELECSUPER/静芯微 设计生产，华强电子网国产品牌站提供ESP10N10相关产品信息及供货商联系方式。ELECSUPER/静芯微 ESP10N10 封装/规格：SOP-8 , N沟道 漏源电压(VDSS)：100V 连续漏极电流(ID)：8A 功率(PD)：2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V。您可以在 MOS(场效应管) ESP10N10 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解ESP10N10详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
