商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 SQD50N10-8M9L_GE3
参数规格
SQD50N10-8M9L_GE3 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供SQD50N10-8M9L_GE3相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 SQD50N10-8M9L_GE3 封装/规格：TO-252 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆SQD50N10-8M9L_GE3。您可以在 MOS(场效应管) SQD50N10-8M9L_GE3 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解SQD50N10-8M9L_GE3详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
