商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 TPD1E1B04DPYR
参数规格
TPD1E1B04DPYR 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供TPD1E1B04DPYR相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 TPD1E1B04DPYR 封装/规格：X1SON-2 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆TPD1E1B04DPYR。您可以在 MOS(场效应管) TPD1E1B04DPYR 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解TPD1E1B04DPYR详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
