商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 TPD2E1B06DRLR
参数规格
TPD2E1B06DRLR 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供TPD2E1B06DRLR相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 TPD2E1B06DRLR 封装/规格：SOT-563 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆TPD2E1B06DRLR。您可以在 MOS(场效应管) TPD2E1B06DRLR 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解TPD2E1B06DRLR详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
