商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 LESD11D5.0CBT5G
参数规格
LESD11D5.0CBT5G 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供LESD11D5.0CBT5G相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 LESD11D5.0CBT5G 封装/规格：DFN0603 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆LESD11D5.0CBT5G。您可以在 MOS(场效应管) LESD11D5.0CBT5G 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解LESD11D5.0CBT5G详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
