商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 IPD50N10S3L16
参数规格
IPD50N10S3L16 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IPD50N10S3L16相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 IPD50N10S3L16 封装/规格：TO-252 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆IPD50N10S3L16。您可以在 MOS(场效应管) IPD50N10S3L16 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IPD50N10S3L16详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
