商品介绍
MOS(场效应管) JG-SEMI/台湾金锆 IPD068P03L3G
参数规格
IPD068P03L3G 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IPD068P03L3G相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 IPD068P03L3G 封装/规格：TO-252 , MOS(场效应管)JG-SEMI/台湾金锆IPD068P03L3G。您可以在 MOS(场效应管) IPD068P03L3G 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IPD068P03L3G详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
