产品列表
共计 473 条库存
型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 询价 |
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SMBJ15CA
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TVS/ESD静电和浪涌保护
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SMB
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反向截止电压(VRWM):15V 击穿电压:16.7V 最大钳位电压:24.4V 最大耗散功率(W) 400 最大抵消电
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SMAJ15CA
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TVS/ESD静电和浪涌保护
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SMA
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反向截止电压(VRWM):15V 击穿电压:16.7V 最大钳位电压:24.4V 最大耗散功率(W) 600 最大抵消电
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BSS138K
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOT-23
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N沟道 漏源电压(VDSS):50V 带ESD防护 连续漏极电流(ID):300MA 功率(PD):300MW 导通电阻
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PZ3D5V1H
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TVS/ESD静电和浪涌保护
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOD-323
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专业ESD生产与设计
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SM4435PRL
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOP-8
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P沟道 漏源电压(VDSS):-30V 连续漏极电流(ID):-10.5A 功率(PD):3.1W 导通电阻(RDS(O
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AO4406AL
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOP-8
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):13A 功率(PD):3.1W 导通电阻(RDS(ON)@V
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AON7544
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):30A 功率(PD):23W 导通电阻(RDS(ON)@VG
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AONS36306
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
|
PDFN3*3-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):30A 功率(PD):23W 导通电阻(RDS(ON)@VG
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AON7403
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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P沟道 漏源电压(VDSS):-30V 连续漏极电流(ID):-29A 功率(PD):25W 导通电阻(RDS(ON)@
![]() |
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AON7401
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
|
24+
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PDFN3*3-8L
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P沟道 漏源电压(VDSS):-30V 连续漏极电流(ID):-29A 功率(PD):25W 导通电阻(RDS(ON)@
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WSP4884
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOP-8
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2个N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):8.0A 功率(PD):2.0W 导通电阻(RDS(ON
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AON7538
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):30A 功率(PD):23W 导通电阻(RDS(ON)@VG
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AOD4185
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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TO-252
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P沟道 漏源电压(VDSS):-40V 连续漏极电流(ID):-40A 功率(PD):2.5W 导通电阻(RDS(ON)
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APM4953
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOP-8
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2个P沟道 漏源电压(VDSS):-30V 连续漏极电流(ID):-5.1A 功率(PD):2.5W 导通电阻(RDS(
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AON7810
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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2个N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):35.0A 功率(PD):20.0W 导通电阻(RDS(
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