产品列表
共计 473 条库存
型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 询价 |
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AOD2544
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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TO-252
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N沟道 漏源电压(VDSS):150V 连续漏极电流(ID):21A 功率(PD):95W 导通电阻(RDS(ON)@V
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WSP06N10
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低压MOS管
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):8A 功率(PD):2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V
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VS3645DE-G
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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PDFN3*3-8L
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2个N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):12.0A 功率(PD):3.0W 导通电阻(RDS(O
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AO4485
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
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SOP-8
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P沟道 漏源电压(VDSS):-40V 连续漏极电流(ID):-10A 功率(PD):1.7W 导通电阻(RDS(ON)
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|
AO4485
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
PDFN3*3-8L
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P沟道 漏源电压(VDSS):-40V 连续漏极电流(ID):-10A 功率(PD):3.1W 导通电阻(RDS(ON)
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AON6586
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
|
PDFN5*6-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):35A 功率(PD):41W 导通电阻(RDS(ON)@VG
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AON6204
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
|
PDFN5*6-8L
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N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):24A 功率(PD):31W 导通电阻(RDS(ON)@VG
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15N10
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
TO-252
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N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):15.0A 功率(PD):50W 导通电阻(RDS(ON)
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WSP06N10
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
SOP-8
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N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):8A 功率(PD):2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V
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ESN7534
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
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24+
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DFN3*3
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N沟道,30V,30A,4.0MΩ@10V
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ESN7401
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
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24+
|
DFN3*3
|
P沟道,-30V,-32A,11.0MΩ@-10V
![]() |
|
ESN7403
|
MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
DFN3*3
|
P沟道,-30V,-32A,11.0MΩ@-10V
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ESN7409
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MOS(场效应管)
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
DFN3*3
|
P沟道,-30V,-32A,8.0MΩ@-10V
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|
ES8205
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MOS(场效应管)
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ELECSUPER/静芯微
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24+
|
SOT-23-6
|
专业ESD生产与设计
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DW01
|
电源IC
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ELECSUPER/静芯微
|
24+
|
SOT-23-6
|
专业ESD生产与设计
|