产品列表

共计 473 条库存
型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 询价
AOD2544
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
TO-252
N沟道 漏源电压(VDSS):150V 连续漏极电流(ID):21A 功率(PD):95W 导通电阻(RDS(ON)@V
WSP06N10
低压MOS管
ELECSUPER/静芯微
24+
PDFN3*3-8L
N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):8A 功率(PD):2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V
VS3645DE-G
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
PDFN3*3-8L
2个N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):12.0A 功率(PD):3.0W 导通电阻(RDS(O
AO4485
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
SOP-8
P沟道 漏源电压(VDSS):-40V 连续漏极电流(ID):-10A 功率(PD):1.7W 导通电阻(RDS(ON)
AO4485
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
PDFN3*3-8L
P沟道 漏源电压(VDSS):-40V 连续漏极电流(ID):-10A 功率(PD):3.1W 导通电阻(RDS(ON)
AON6586
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
PDFN5*6-8L
N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):35A 功率(PD):41W 导通电阻(RDS(ON)@VG
AON6204
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
PDFN5*6-8L
N沟道 漏源电压(VDSS):30V 连续漏极电流(ID):24A 功率(PD):31W 导通电阻(RDS(ON)@VG
15N10
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
TO-252
N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):15.0A 功率(PD):50W 导通电阻(RDS(ON)
WSP06N10
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
SOP-8
N沟道 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):8A 功率(PD):2.7W 导通电阻(RDS(ON)@V
ESN7534
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
DFN3*3
N沟道,30V,30A,4.0MΩ@10V
ESN7401
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
DFN3*3
P沟道,-30V,-32A,11.0MΩ@-10V
ESN7403
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
DFN3*3
P沟道,-30V,-32A,11.0MΩ@-10V
ESN7409
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
DFN3*3
P沟道,-30V,-32A,8.0MΩ@-10V
ES8205
MOS(场效应管)
ELECSUPER/静芯微
24+
SOT-23-6
专业ESD生产与设计
DW01
电源IC
ELECSUPER/静芯微
24+
SOT-23-6
专业ESD生产与设计