产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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076N06N-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,30A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPL60R210P6AUMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFI624GPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,250V,4.4A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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K6A60W-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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VS2622AA-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,30V,12A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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P4NK50ZFP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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HM2N70K-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,700V,2A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PHP45NQ11T,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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P150N03-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRF1312PBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,80V,100A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2N60LL-TMA-T-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FU3303-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,30V,50A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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QM2504W-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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N+N-Ch,20V,6.6A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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NTD4855NT4G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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7N60KL-TF3-T-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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