产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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W256-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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QM4305S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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NVMJS1D0N04CTWG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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GV2301A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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BSS138A-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
SOT23-3
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SW069R06VT-1-VB TO251
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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ACE2305BM+H-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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MCB200N06YHE3-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SFU9210-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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P-Ch,-200V,-5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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BUK9E4R4-40B-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.3V
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EMB60N06A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STB18NM80-VB
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,800V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIHD4N80ET4-GE3-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
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N-Ch,800V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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MCQ4409B-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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SQJA86EP-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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