产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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STB13NK60Z-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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ISC046N13NM6ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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1653 CMD1653-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FQU8N25TU-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,250V,17A,RDS(on)=176(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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AFN4997S8RG-VB
1
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双N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,100V,12A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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2N60LL-TA3-T-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=3120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRLR3717TRPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,20V,120A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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SM4502NHKP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AON3816-VB
1
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双N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)-B
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N+N-Ch,20V,20A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
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2N7002PT,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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N-Ch,60V,0.33A,RDS(on)=1200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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VSI007N06MS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FDP7042L-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NP109N055PUJ-E2B-AY-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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110N04UJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,280A,RDS(on)=1.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AP9435K-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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P-Ch,-40V,-6.2A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AP9435K(APEC/富鼎)
AP9435K(APEC/富鼎)
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