产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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NP82N06NLG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,60V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IRF7821UTRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSC090N03LSGATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NVMFS5C404NWFT3G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NP89N055MUK-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BSC0501NSIATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,128A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI7374DP-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
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AP4437GM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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SSH60N10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SPD03N60S5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BULB39DT4-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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FU120N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,100V,12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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IXFH22N50P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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SSP6N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,8A,RDS(on)=780(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK7Q8R4-40HJ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,40A,RDS(on)=7.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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