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VBSEMI NK PLINGSEMIC SK HAMOS JG-SEMI TY
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低压MOS管 贴片三极管 中高压MOS管 双N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
26+
468000
SOT23-6
N+N-CH,20V,6A,RDS(ON)=22(MΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,VTH=0.5~1.5V
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
JG-SEMI/台湾金锆
25+
3087000
TSOP-6
台湾芯片一比一对应可供更多
NK/南科功率
2026
96420
TSOT-23-6
高规直替-南科功率
   
NK/南科功率
2025+ROHS
10000
SOT-23-6
选型替代-场效应管
PLINGSEMIC/鹏领
25+
6035000
SOT-23-6
参数完全替代进口产品可按客户定做
   
PLINGSEMIC/鹏领
25+
60000
SOT-23-6
参数完全替代进口产品可按客户定做
   
PLINGSEMIC/鹏领
25+
60000
SOT-23-6
参数完全替代进口 产品可按客户定做
NK/南科功率
2026
10003700
SOT-23-6
-南-场效应管替代-科
NTGD3148NT1G-VB
替代参考
VBSEMI/微碧半导体
26+
48092300
SOT23-6
N+N-CH,20V,6A,RDS(ON)=22(MΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,VTH=0.5~1.5V
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
TY/台灣半導体
2538+
300348
SOT23-6L
N1C348 原厂参数 提供技术支持
VBSEMI/微碧半导体
26+
488000
SOT23-6
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
VBSEMI/微碧半导体
23+
30021800
SOT23-6
VBSEMI/微碧半导体
26+
48024800
SOT23-6
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
VBSEMI/微碧半导体
26+
4828000
SOT23-6
台积电晶圆长电封装微碧原装可长久大量供应
SK/森浦科
25+
39000
SOT23-6
XB5353A
▊大量 ▊▊SK/森浦科▊▊完美兼容技术支持
SK/森浦科
24+
3049668
TSOP-6
MOS LDO AMPS
▊大量 ▊▊SK/森浦科▊▊完美兼容技术支持
HAMOS/汉姆
25+
3044000
SOT163
汉姆原厂授权代理商
NK/南科功率
2026
8850877
TSOP-6
中低压场效应管
南科功率-专注MOSFET
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