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3PN1005-VB TO263一种Single-N沟道TO263封装MOS管

### 3PN1005-VB TO263 MOSFET 产品简介

3PN1005-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管，专为各种电子应用中的高效能管理而设计。采用 TO-263 封装，具有优秀的热性能和可靠性，适用于各种严苛的环境。具有 100V 的漏极-源极电压（VDS）和 ±20V 的栅极-源极电压（VGS），在不同工作条件下提供稳健的性能。该器件具有低的栅极阈值电压（Vth）为 3V，确保在低电压电路中易于使用。3PN1005-VB 采用 Trench 技术，提供低导通电阻，增强能效并减少热量产生。

### 详细参数说明

- **封装**：TO-263

- **配置**：单 N 沟道

- **VDS（漏极-源极电压）**：100V

- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V

- **Vth（栅极阈值电压）**：3V

- **RDS(ON)（导通电阻）**：4mΩ @ VGS = 10V

- **ID（持续漏极电流）**：140A

- **技术**：Trench

3PN1005-VB TO263.pdf

### 应用示例

1. **电源管理**: 3PN1005-VB 可以广泛应用于各种功率管理电路中，如开关电源和稳压器，提高电路效率并减小尺寸。

2. **电机驱动**: 在电机驱动电路中，该 MOSFET 可以用作电机的控制开关，实现高效能的电动机控制。

3. **汽车电子**: 由于其高电压和电流特性，适用于汽车电子领域，如电动汽车充电器、电动汽车控制器等。

4. **工业控制**: 在工业控制系统中，3PN1005-VB 可以用于各种工业自动化设备中，提高系统的可靠性和效率。

5. **医疗设备**: 由于其高性能和可靠性，可用于各种医疗设备中，如医用电源、医疗成像设备等。

通过在这些领域中使用 3PN1005-VB MOSFET，设计者可以实现高效、可靠的电路设计，满足不同应用的需求。