4434M-VB一种Single-N沟道SOP8封装MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-11-11 14:36
摘要：### 一、产品简介
### 一、产品简介
**4434M-VB MOSFET**
The 4434M-VB is a high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Packaged in a SOP8, this model features advanced Trench technology, providing low on-resistance and high current-handling capabilities. With a drain-source voltage (VDS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of 15A, the 4434M-VB is ideal for applications requiring high power and reliability in an N-Channel configuration.
### 二、详细的参数说明
- **Package**: SOP8
- **Configuration**: Single-N-Channel
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 20V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±12V
- **Threshold Voltage (Vth)**: 0.5~1.5V
- **On-Resistance (RDS(ON))**:
- 8mΩ @ VGS = 2.5V
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 15A
- **Technology**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
**领域**
1. **手机和平板电脑**: 4434M-VB 可用于手机和平板电脑中的功率管理模块，实现高效的电池管理和节能功能。
2. **笔记本电脑**: 在笔记本电脑中，该器件可用于电源管理和电池充放电控制，提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
3. **消费类电子产品**: 在各种消费类电子产品中，如数码相机、便携式音响等，提供稳定的电源和高效的能量转换。
**模块**
1. **DC-DC转换器模块**: 在各种DC-DC转换器中，提供高效的能量转换和稳定的输出。
2. **电池管理模块**: 在各种电池管理系统中，提供高效的充电和放电控制，延长电池寿命。
3. **LED驱动模块**: 在LED照明系统中，提供稳定的功率供给和高效的能量转换。
通过其低功耗、高效率和稳定性，4434M-VB 适用于各种需要N-Channel功率控制的高功率应用，是现代电子系统中的理想选择。
