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4435GH-VB一种Single-P沟道TO252封装MOS管

### 一、4435GH-VB TO252 产品简介

4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V 的栅极-源极电压（VGS）耐受能力。该器件采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和中等电流承载能力，适用于需要中等功率和中等电压的应用场合。

### 二、4435GH-VB TO252 详细参数说明

- **封装类型**：TO252

- **管脚配置**：单 P 沟道

- **漏极-源极电压 (VDS)**：-30V

- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V

- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - 25mΩ@VGS=4.5V

  - 18mΩ@VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**：-40A

- **技术**：Trench

4435GH-VB.pdf

### 三、4435GH-VB TO252 适用领域和模块示例

1. **电源管理模块**

   - **领域**：电源管理

   - **应用**：用于设计电源管理模块，如开关电源和线性稳压器，以提供稳定的电压和电流给各种电子设备。

2. **电池保护模块**

   - **领域**：便携式电子设备

   - **应用**：适用于设计电池保护模块，保护电池免受过充和过放的损害，提高电池的使用寿命。

3. **负载开关**

   - **领域**：消费电子

   - **应用**：适用于各种消费电子产品中的负载开关，例如电视、音响设备和家用电器，提供高效的功率传输和低功耗性能。