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50P06SDG-VB一种Single-P沟道TO252封装MOS管

### 50P06SDG-VB 产品简介

50P06SDG-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具备高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用槽道技术（Trench），适用于需要高性能负载开关和功率控制的应用。

### 50P06SDG-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO252

- **器件配置**：单 P 沟道

- **漏极-源极电压 (VDS)**：-60V

- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V

- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - 25mΩ @ VGS = 4.5V

  - 20mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**：-50A

- **技术特点**：槽道技术（Trench）

50P06SDG-VB.pdf

### 应用领域和模块示例

50P06SDG-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用，以下是几个示例：

1. **电源管理**：适用于电源逆变器、DC-DC转换器和电源开关。50P06SDG-VB 可以提供低导通电阻和高电流承载能力，有助于提升系统的效率和能量转换性能。

2. **电动汽车充电桩**：在电动车充电桩中，这款 MOSFET 可以用作功率开关，帮助管理电流流向和充电效率。其高电流和高效能特性确保充电桩的稳定性和可靠性。

3. **工业控制**：在工业自动化系统中，50P06SDG-VB 可以应用于各种负载开关和电动执行器的控制电路。其高效能和稳定性能确保工业设备的高效运行和长期可靠性。

4. **电动工具**：在需要负载开关和高功率驱动的电动工具中，如电动钻、电动锤等，这款 MOSFET 可以确保电机驱动电路的高效能和长寿命。

5. **消费电子**：在高性能计算机和游戏设备中，50P06SDG-VB 可以用于功率管理和电源开关，提升设备的性能和响应速度。

综上所述，50P06SDG-VB TO252 MOSFET 由于其高电流处理能力、低导通电阻和稳定性能，适用于多种需要高功率密度和高性能要求的电源管理和功率控制应用场合。