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50SMC8205AS6-TRG-VB一种Dual-N+N沟道SOT23-6封装MOS管

### 一、产品简介

**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6**

50SMC8205AS6-TRG-VB 是一款双N沟道加N沟道MOSFET，采用SOT23-6封装。它具有漏源极电压（VDS）为20V的特性，适用于低压、低功率电路设计。采用Trench技术制造，具备较低的导通电阻和适中的电流承载能力。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**：SOT23-6

- **配置**：双N+N沟道

- **漏源极电压（VDS）**：20V

- **栅源极电压（VGS）**：±20V

- **阈值电压（Vth）**：0.5~1.5V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：28mΩ @ VGS = 2.5V, 24mΩ @ VGS = 4.5V

- **连续漏极电流（ID）**：6A

- **技术**：Trench

50SMC8205AS6-TRG-VB.pdf

### 三、应用领域和模块举例

**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6** MOSFET适用于多种领域和模块，以下是几个具体的示例：

1. **移动设备**：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和便携式电源中，用于电池管理和电源转换控制，以提供高效能和长电池续航时间。

2. **电池管理**：用于锂电池充放电管理系统中，如电池保护电路和充电管理模块，支持安全和高效的电池使用。

3. **小型电源供应**：适用于各类小型电源供应设计，如USB充电器、小型开关电源和低功率适配器，提供稳定的输出电压和电流控制。

4. **医疗设备**：在便携式医疗设备和医疗监测系统中，用于电源管理和信号处理电路，确保设备的高精度和稳定性。

综上所述，**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6** MOSFET由于其小型封装、低功率特性和稳定的性能，适合于各种低功率和便携式电子设备的设计及应用。