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AP0603GM-HF-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管

### AP0603GM-HF-VB MOSFET 产品简介

AP0603GM-HF-VB 是一款高性能单 N-沟道 MOSFET，适用于需要高效能管理的各种电子应用。采用 SOP8 封装，该 MOSFET 具有低 RDS(ON)、高电流承载能力以及先进的沟槽技术，适合于广泛的电子应用领域。

### 详细参数说明

- **封装**: SOP8

- **配置**: 单 N-沟道

- **VDS（漏极-源极电压）**: 30V

- **VGS（栅极-源极电压）**: ±20V

- **Vth（阈值电压）**: 1.7V

- **RDS(ON) @ VGS=4.5V**: 5mΩ

- **RDS(ON) @ VGS=10V**: 4mΩ

- **ID（连续漏极电流）**: 18A

- **技术**: 沟槽

AP0603GM-HF-VB.pdf

### 应用示例

**计算设备的电源管理**: AP0603GM-HF-VB 适用于笔记本电脑、台式电脑和服务器等设备的电源调节。其低 RDS(ON) 确保能量损耗最小，对于计算设备的高效能表现至关重要。

**直流-直流转换器**: 由于其高电流承载能力和低导通损耗，该 MOSFET 可以有效地用于直流-直流转换器中。它可以在电信和工业设备等领域中高效地开关和调节电压。

**电机驱动**: 在电机控制电路中，AP0603GM-HF-VB 可以高效驱动电机。其沟槽技术允许快速开关和精确控制，非常适合机器人、电动车和工业自动化等应用。

**电池保护电路**: 由于其强大的性能，该 MOSFET 适用于手机、平板电脑等便携设备的电池保护。它有助于防止过电流和短路条件，确保电池的安全和长寿命。

**LED 照明**: 对于 LED 驱动器，AP0603GM-HF-VB 可以有效管理电能，为室内和室外照明解决方案提供稳定可靠的性能。其高电流处理能力非常适合高功率 LED 应用。

凭借其先进的特性和可靠的性能，AP0603GM-HF-VB MOSFET 能够在多个领域提供高效的电能管理和增强设备性能。