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AP08P20H-VB一种TO252封装Single-P-Channel场效应管

### 一、AP08P20H-VB 产品简介

AP08P20H-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET，采用先进的沟道技术设计，具备负电压承受能力和低导通电阻的特点。该器件封装在TO252外壳中，适合要求紧凑和高效率的电力转换和管理应用。

### 二、AP08P20H-VB 详细参数说明

- **型号**: AP08P20H-VB

- **封装**: TO252

- **配置**: 单P沟道

- **漏源电压 (VDS)**: -200V

- **栅源电压 (VGS)**: ±20V

- **阈值电压 (Vth)**: -3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 

  - 600mΩ @ VGS=4.5V

  - 500mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**: -8.5A

- **技术**: 沟道技术（Trench）

AP08P20H-VB.pdf

### 三、AP08P20H-VB 适用领域和模块说明

AP08P20H-VB 在电力管理和转换领域中具有多种应用场景，以下是一些具体的领域和模块举例：

1. **电源开关模块**:

   由于其负电压承受能力和低导通电阻，AP08P20H-VB 适用于需要高效率和高可靠性的开关电源模块，如笔记本电脑适配器和各类充电器。

2. **电动工具**:

   在电池驱动的电动工具中，AP08P20H-VB 可以用于电池管理系统（BMS）中的电池保护和电流控制，确保设备的安全和性能。

3. **汽车电子**:

   在汽车电子系统中，如汽车电动化和车载充电设备，AP08P20H-VB 的性能使其成为驱动电动车辆电池管理系统（BMS）的理想选择。

4. **工业控制**:

   在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业自动化设备的驱动器，AP08P20H-VB 提供了稳定的电流控制和高效的能量转换，以支持设备的可靠操作和长期运行。

通过这些应用实例，AP08P20H-VB 展示了其在多种电力转换和管理场景中的优越性能和广泛适用性。