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AP0903GH-HF-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管

### 产品简介

**型号：AP0903GH-HF-VB**

AP0903GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有适中的导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为TO252，适用于多种需要高效能量转换和电源管理的应用。

### 详细参数说明

- **封装形式**：TO252

- **配置**：单N沟道

- **漏源极电压（VDS）**：30V

- **栅源极电压（VGS）**：±20V

- **阈值电压（Vth）**：1.7V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：

  - 6mΩ @ VGS=4.5V

  - 5mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流（ID）**：80A

- **技术类型**：沟槽技术

AP0903GH-HF-VB.pdf

### 应用领域和模块示例

AP0903GH-HF-VB 由于其适中的导通电阻和高电流处理能力，适合以下领域和模块中的应用：

1. **电源管理模块**：在DC-DC转换器、开关电源和电源管理系统中使用，以提高能量转换效率和降低能耗。特别适合于家用电器、工业控制设备和电子消费品等领域。

2. **电机驱动**：用作电机控制器中的开关元件，特别是在电动工具、电动车辆和工业自动化系统中，以确保高效能量转换和可靠的电机运行。

3. **负载开关**：作为负载开关，可在各种电池供电设备中使用，如笔记本电脑、平板电脑和移动通信设备，以实现高效的电能管理和延长电池寿命。

4. **功率放大器**：用于无线通信设备中的功率放大器开关，通过低导通电阻和高电流处理能力，提高设备的射频性能和信号传输效率。

5. **照明系统**：在LED驱动电路中，通过其良好的开关特性和低功耗设计，实现高效的照明系统控制，适用于家庭、商业和工业照明应用。

通过这些示例，可以看出AP0903GH-HF-VB 在多种领域中具备了优异的功率管理能力和应用灵活性，为电子设备提供了可靠的性能增强解决方案。