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14纳米国产芯片，明年年底有望实现量产

由于美国的制裁，中国的芯片不得不自力更生，往100%纯中国制造方向发展，现在我国的14纳米芯片的制造已经攻克了许多技术难题，行业预判，28纳米将是100%国产IC元器件的新起点，并且有望在今年实现量产，而国产14纳米IC元器件将有望在明年实现量产。

近日，英国“电信大全”网站刊登题为《中国预计2022年在14纳米芯片方面实现突破》的文章称，美国战略分析公司分析师在接受其采访时表示，中国预计在2022年实现14纳米芯片突破。

目前，14纳米IC元器件研发攻克的技术难题有：刻蚀机、薄膜沉积等关键装备实现了从无到有，批量应用在大生产线上；14纳米工艺研发取得突破；后道封装集成技术成果全面实现量产；抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。而这些成果基本覆盖了我国集成电路全产业链体系，扭转了之前工艺技术全套引进的被动局面。

14-12纳米这一代的生产线，在目前半导体中非常的关键，14nm制程及以上能够满足目前70%半导体制造工艺的需要，定位中端的5GIC元器件均采用了12nm工艺。另外，14nm基本能满足我国国产台式CPU需要的制程的需要。

14纳米甚至28纳米IC元器件国产化快速发展意味着，我们采用退回策略，用成熟工艺满足一般性的IC元器件需要，不一味追求高制程，更加重视设计、封装优化，以时间来换取半导体应用和全产业链自主的空间。

14纳米IC元器件量产以后，后续扩大产能还需要做好资金支持，包括光刻机、清洗设备、抛光仪器等所需设备不仅价格昂贵，且在使用过程中需要耗费大量的水和电；其次，需要在原材料、元器件等供应商层面上做好整合工作，提前做好客户导入，确保产能得到充分利用。