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MMDF4207R2G-VB一种2个P—Channel沟道SOP8封装MOS管

产品型号：MMDF4207R2G-VB  

丝印：VBA4338  

品牌：VBsemi  

参数：2个P—Channel沟道，-30V，-7A，RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V，VGS=20V，Vth=-1.5V  

封装：SOP8  

**详细参数说明：**  

MMDF4207R2G-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，具有2个沟道，工作电压为-30V，最大工作电流为-7A。在VGS=10V时，其导通电阻RDS(ON)为35mΩ，在VGS=20V时也具有相似的性能。门极阈值电压Vth为-1.5V。该器件采用SOP8封装，适用于表面贴装技术。

MMDF4207R2G-VB.pdf

**应用简介：**  

MMDF4207R2G-VB适用于各种需要P—Channel沟道MOSFET的电路和模块，尤其在以下领域和模块中具有广泛应用：

1. 电源管理模块：由于其高压、高电流的特性，MMDF4207R2G-VB适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和稳压器等电路。

2. 电机驱动器：该器件能够承受较高的电流，适合用于电机驱动器中的功率开关和电流控制模块，例如电动汽车控制器、工业机械驱动器等。

3. LED照明控制：MMDF4207R2G-VB具有较低的导通电阻和较高的工作电压，可用于LED照明控制器中的电流调节和功率管理。

4. 电池管理系统：在电池充放电管理系统中，该器件可用于电池保护、充电控制和放电管理等功能模块。

通过以上应用简介，可以看出MMDF4207R2G-VB在多个领域中都具有重要的作用，并能为各种电路和模块提供稳定可靠的功率控制和电流调节功能。