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MMDF4P03HDR2G-VB一种2个P—Channel沟道SOP8封装MOS管

产品型号：MMDF4P03HDR2G-VB

丝印：VBA4338

品牌：VBsemi

参数：

- 2个P-Channel沟道

- 工作电压：-30V

- 最大电流：-7A

- 开通电阻：35mΩ (@VGS=10V, VGS=20V)

- 阈值电压：-1.5V

封装：SOP8

MMDF4P03HDR2G-VB.pdf

详细参数说明：

该产品是一款P-Channel沟道功率场效应晶体管（MOSFET），具有两个沟道。其工作电压为-30V，最大电流为-7A。在额定工作电压下，开通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.5V。封装采用SOP8。

应用简介：

该产品适用于多种领域和模块，包括但不限于：

1. 电源管理模块：用于电源开关、逆变器和稳压器等电源管理设备中，以实现有效的功率控制和节能功能。

2. 电机驱动模块：可用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机等，以提供可靠的电机控制和驱动性能。

3. 载波通信模块：适用于载波通信设备，用于实现数据传输和通信连接的功率控制和调节。

4. 汽车电子模块：可用于汽车电子系统中的电源管理、驱动控制和通信模块，以提高汽车电子系统的性能和稳定性。

举例说明：

- 在电源管理模块中，该产品可用于开关电源和稳压器模块，实现电源管理和节能功能。

- 在电机驱动模块中，该产品可用于驱动直流电机和步进电机，提供可靠的电机控制和驱动性能。

- 在载波通信模块中，该产品可用于调节和控制载波通信设备的功率，实现数据传输和通信连接的稳定性。

- 在汽车电子模块中，该产品可用于汽车电子系统的电源管理、驱动控制和通信模块，提高汽车电子系统的性能和稳定性。