ZXMC6A09DN8TA-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-05-14 17:22
摘要：产品型号：ZXMC6A09DN8TA-VB
产品型号：ZXMC6A09DN8TA-VB
丝印：VBA5638
品牌：VBsemi
参数：
- N+P—Channel沟道
- 工作电压范围：±60V
- 额定电流：6.5A (正向)，-5A (反向)
- 开态电阻：RDS(ON)=28mΩ @ VGS=10V，RDS(ON)=51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：Vth=±1.9V
封装：SOP8
详细参数说明：
ZXMC6A09DN8TA-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET，适用于正向和反向电流的控制。其工作电压范围为±60V，正向额定电流为6.5A，反向额定电流为-5A。开态电阻在不同电压下分别为28mΩ和51mΩ，具有较低的导通电阻。阈值电压为±1.9V，适用于各种电路控制。
应用简介：
ZXMC6A09DN8TA-VB广泛适用于多种领域和模块，主要应用包括但不限于以下几个方面：
1. 电源管理模块：由于其较宽的工作电压范围和高额定电流，可用于电源管理模块中的电压调节和电流控制，保障电路的稳定性和安全性。
2. 高压开关模块：在需要控制高压电流的场合，如电动汽车充电桩、电动车电池管理系统等，ZXMC6A09DN8TA-VB可作为高压开关管，用于开关电路的控制和保护。
3. 电机驱动器件：作为电机驱动器件，可用于工业自动化、机器人等领域，控制电机的启停和转速调节，提高系统的性能和效率。
总的来说，ZXMC6A09DN8TA-VB适用于需要控制高压和电流的场合，如电源管理模块、高压开关模块和电机驱动等领域，能够提高系统的性能和稳定性。
