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ZXMC6A09DN8TC-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

产品型号：ZXMC6A09DN8TC-VB  

丝印：VBA5638  

品牌：VBsemi  

参数：

- N+P—Channel沟道

- ±60V

- 6.5A（N沟道）/-5A（P沟道）

- RDS(ON)=28mΩ（N沟道）/51mΩ（P沟道）@VGS=10V,VGS=20V

- Vth=±1.9V

封装：SOP8  

ZXMC6A09DN8TC-VB.pdf

详细参数说明：

ZXMC6A09DN8TC-VB是一款集成了N+P—Channel沟道的功率MOSFET，其工作电压范围为±60V。其中，N沟道最大漏极电流为6.5A，P沟道最大漏极电流为-5A。在VGS分别为10V和20V时，N沟道的漏源电阻(RDS(ON))为28mΩ，P沟道的漏源电阻为51mΩ。门阈电压(Vth)为±1.9V。该产品采用SOP8封装。

应用简介：

ZXMC6A09DN8TC-VB适用于多种领域的功率电路和模块，例如：

1. 电动车辆：可用于电动车辆的电机驱动器、电池管理系统等。

2. 工业控制：适用于工业控制系统中的功率开关模块、电机控制器等。

3. 电源管理模块：可用于DC-DC转换器、开关稳压器等功率电源模块。

4. 电力电子：适用于逆变器、交流调速器等应用。

举例说明：

在电动车辆领域，ZXMC6A09DN8TC-VB可用作电动车辆的电机驱动器中的功率开关元件，实现电动车辆的高效驱动和精确控制，提升电动车辆的性能和节能效果。