052NE7N-VB TO262一款N-Channel沟道TO262封装的场效应MOS管
标签： 来源：国产品牌站 时间：2024-07-22 14:11
摘要：VBsemi的052NE7N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、在VGS=10V时的6mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及85A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench工艺。
VBsemi的052NE7N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、在VGS=10V时的6mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及85A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench工艺。
**产品简介：**
VBsemi的052NE7N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，适用于多种领域和模块。它具有低阻抗、高漏极电流和高可靠性的特点，适用于要求高功率密度和高效率的应用场合。
**详细参数说明：**
- 封装：TO262
- 类型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：80V
- 门极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：85A
- 工艺：Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：052NE7N-VB适用于高功率电源模块，如不间断电源（UPS）、工业电源等，提供高效率和高可靠性。
2. **汽车电子**：在汽车电子系统中，052NE7N-VB可用于电动助力转向系统、车载电源管理等，具有快速响应和高可靠性。
3. **工业控制**：在工业控制领域，052NE7N-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器，提供高效率和可靠性。
4. **电动工具**：在电动工具中，052NE7N-VB可以作为电机驱动器，提供高功率输出和响应速度。
5. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，052NE7N-VB可用于高压、高效率的电能转换，适用于户外环境。
这些是052NE7N-VB的一些典型应用场景，但并不限于此，具体应用取决于设计要求和环境条件。
