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2SK2111-VB一款N-Channel沟道SOT89封装的场效应MOS管

### 产品简介

2SK2111-VB 是一款低压、单N沟道MOSFET，采用SOT89封装。其设计采用了Trench技术，具有高效的开关性能和低导通电阻，适用于低压应用场景。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS），能够在较低的栅极电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流（ID）为5.5A，栅源电压（VGS）为20V（±），门限电压（Vth）为1.7V。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2111-VB

- **封装**: SOT89

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压（VDS）**: 60V

- **栅源电压（VGS）**: ±20V

- **门限电压（Vth）**: 1.7V

- **导通电阻（RDS(ON)）**: 88mΩ @ VGS=4.5V, 76mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流（ID）**: 5.5A

- **技术**: Trench

2SK2111-VB.pdf

### 应用领域及模块

2SK2111-VB MOSFET 具有低压和高效的开关性能，适用于以下领域和模块：

1. **电源管理系统**：在需要中低压电源转换和开关模式电源（SMPS）的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于家用电源适配器和小功率电源供应器。

2. **LED驱动**：用于LED照明系统中的开关和控制电路，2SK2111-VB能够提供高效的能量转换和稳定的电流控制，适用于室内和室外照明系统。

3. **便携式电子设备**：在手机、平板电脑和便携式电子设备中，该MOSFET能够提供高效的能量转换和低功耗特性，适用于电池管理和电源管理模块。

4. **传感器接口**：在传感器接口和信号调理电路中，该MOSFET能够提供高速开关和低压操作特性，适用于各种传感器接口和信号调理应用。

通过这些应用示例，可以看出2SK2111-VB MOSFET 适用于需要低压、高效开关特性的多种电子应用场景。