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2SK2139-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 产品简介

**2SK2139-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于高压应用。具有较高的漏极-源极电压、低导通电阻和适中的漏极电流能力，适合要求高电压和中等功率的电路设计。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO220

- **配置**：单N沟道

- **漏极-源极电压 (VDS)**：600V

- **栅极-源极电压 (VGS)**：30（±V）

- **阈值电压 (Vth)**：3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - 1070mΩ @ VGS=4.5V

  - 780mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**：8A

- **技术**：平面型

2SK2139-VB.pdf

### 应用领域和模块

**2SK2139-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：

1. **电源管理模块**：

   - 适用于高压开关电源（SMPS）中的功率开关和电流控制，提供高效率和稳定性。

   - 在工业电源和UPS系统中，用于稳定输出电压和电流，确保设备的稳定运行。

2. **汽车电子**：

   - 在汽车电子控制单元（ECU）中的电动汽车和混合动力汽车中使用，可用于电池管理系统（BMS）和电机控制器，提供高压和高效率的电能传输。

3. **工业控制**：

   - 适用于工业自动化设备中的控制模块，如电机驱动器、传感器信号处理等，提供高压和中等功率的控制能力。

4. **电力电子**：

   - 在电力变换器和调节器中使用，如变频器、直流调压器等，提供高效率的电能转换和稳定的电压输出。

5. **照明应用**：

   - 用于高压LED照明驱动器和控制器中，提供稳定的电流和亮度控制。

### 小结

**2SK2139-VB** 是一款适用于高压应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压、低导通电阻和适中的漏极电流能力。广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制、电力电子和照明应用等领域，为电路设计提供高电压和高效率的解决方案。