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2SK2158-T2B-A-VB一款N-Channel沟道SOT23-3封装的场效应MOS管

### 产品简介

**2SK2158-T2B-A-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装形式，具有良好的导通性能和高可靠性。其额定漏源电压（VDS）为60V，栅源电压（VGS）为±20V，具有1.7V的栅极阈值电压（Vth）。在VGS=4.5V时，RDS(ON)为3100mΩ，在VGS=10V时为2800mΩ，最大连续漏电流（ID）为0.3A。该器件采用先进的沟槽技术制造，适用于低功率电源管理和开关电路应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2158-T2B-A-VB

- **封装形式**: SOT23-3

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压 (VDS)**: 60V

- **栅源电压 (VGS)**: ±20V

- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 

   - 3100mΩ @ VGS=4.5V

   - 2800mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**: 0.3A

- **技术**: 沟槽技术 (Trench)

2SK2158-T2B-A-VB.pdf

### 应用领域及模块

**2SK2158-T2B-A-VB** 适用于多种低功率电源管理和开关电路应用，包括但不限于以下几个领域和模块：

1. **电源转换模块**:

   - **低功率DC-DC转换器**: 由于其低RDS(ON)和低ID特性，适用于低功率DC-DC转换器中。

   - **低功率AC-DC转换器**: 在小型电器和充电器中用于高效能的电能转换。

2. **LED驱动模块**:

   - **LED灯驱动**: 作为LED驱动器的开关元件，提供高效能的LED驱动方案。

   - **背光模块**: 用于LCD显示器的背光模块中，提供稳定的背光驱动。

3. **电池管理模块**:

   - **电池保护电路**: 用于移动设备和电动工具中的电池保护模块中，防止电池过充和过放。

4. **传感器接口模块**:

   - **传感器信号处理**: 在传感器接口电路中使用，提供对传感器信号的稳定放大和处理。

5. **汽车电子模块**:

   - **汽车灯光控制**: 用于汽车灯光控制模块中，提供稳定的电流驱动。

   - **车载充电器**: 作为车载充电器电路中的开关元件，实现高效能的充电。

2SK2158-T2B-A-VB MOSFET在这些低功率应用中，通过其优异的电气特性和高可靠性，为电子设备提供了低功率、高效能的解决方案。