2SK2158-VB一款N-Channel沟道SOT23-3封装的场效应MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-07-31 15:40
摘要：### 产品简介
### 产品简介
**2SK2158-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装，适用于低功率应用。具有适中的漏极-源极电压、低导通电阻和较低的漏极电流能力，适合要求低功率和小尺寸的电路设计。
### 详细参数说明
- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：0.3A
- **技术**：沟槽型
### 应用领域和模块
**2SK2158-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：
1. **便携式电子产品**：
- 适用于智能手机、平板电脑等便携式电子产品中的功率管理模块，如充电管理、电池管理等。
2. **消费类电子产品**：
- 在便携式音频设备、手持式游戏机等产品中的功率管理和信号开关。
3. **医疗电子**：
- 在医疗设备中的电源管理模块和信号处理模块中使用，如医疗图像设备、心跳监测器等。
4. **工业控制**：
- 适用于传感器信号处理、工业自动化设备中的控制模块等。
5. **通信设备**：
- 在通信基站设备中的功率放大器和功率控制模块中使用，确保设备的高效率和稳定性。
### 小结
**2SK2158-VB** 是一款适用于低功率应用的单N沟道MOSFET，具有适中的漏极-源极电压、低导通电阻和较低的漏极电流能力。广泛应用于便携式电子产品、消费类电子产品、医疗电子、工业控制和通信设备等领域，为电路设计提供低功率和小尺寸的解决方案。
