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2SK2167-VB一款N-Channel沟道SOT89封装的场效应MOS管

### 产品简介

2SK2167-VB 是一款高压、单N沟道MOSFET，采用SOT89封装。其设计采用了Trench技术，具有高效的开关性能和低导通电阻，适用于高压应用场景。该MOSFET具有200V的漏源电压（VDS），能够在较低的栅极电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流（ID）为1A，栅源电压（VGS）为20V（±），门限电压（Vth）为3V。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2167-VB

- **封装**: SOT89

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压（VDS）**: 200V

- **栅源电压（VGS）**: ±20V

- **门限电压（Vth）**: 3V

- **导通电阻（RDS(ON)）**: 1600mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流（ID）**: 1A

- **技术**: Trench

2SK2167-VB.pdf

### 应用领域及模块

2SK2167-VB MOSFET 具有高压和高效的开关性能，适用于以下领域和模块：

1. **电源管理系统**：在需要中高压电源转换和开关模式电源（SMPS）的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于工业电源和高压电源供应器。

2. **照明系统**：用于LED驱动和照明系统中的开关和控制电路，2SK2167-VB能够提供高效的能量转换和稳定的电流控制，适用于室内和室外照明系统。

3. **电动车充电桩**：在需要处理中高压和较低电流的电动车充电桩中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，确保充电桩的高效运行和长期稳定性。

4. **电源开关**：在需要高压开关和保护电路的应用中，2SK2167-VB能够提供可靠的高压开关性能，适用于各种高压开关应用。

通过这些应用示例，可以看出2SK2167-VB MOSFET 适用于需要高压、高效开关特性的多种电子和工业应用场景。