产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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APM9926AOC-TRL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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N+N-Ch,20V,6.6A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
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IRF823PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PSMN2R8-25MLC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT669
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125N2RG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,140A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HFS10N60-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SiHFB13N50A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FQN1N60C-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO92
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N-Ch,650V,1A,RDS(on)=6667(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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UT4957-S08-R-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P+P-Ch,-30V,-8A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.7V
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139N08N-VB TO262
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,80V,85A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NVMFWS0D9N04XMT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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FDS9943-NL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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RSQ030P03-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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CED04N7G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,700V,2A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PH3075L,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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AO8846-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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N+N-Ch,20V,7.6A,RDS(on)=14(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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