产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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P12NM50FDFP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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AOU7S60-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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L620-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STU2640NL-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NTMFS5C404NLT-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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HM4806-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,20V,10A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TPC8092,LQ(S-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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P6NC80ZFP-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO220F
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N-Ch,800V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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|
I400-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO251
|
N-Ch,30V,50A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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|
|
|
968A-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TSSOP8
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N+N-Ch,20V,7.6A,RDS(on)=14(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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|
DMTH61M8LPSQ-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTP3P45-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRLR9343PBF-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO-252
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||
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STP3NK60Z-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RJK0362DSP-WS#J0-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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