产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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DMTH10H017LPDQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SiHP11N80E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,800V,12A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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CMD6070-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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P1004BS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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AP01L60J-HF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=4300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPP120N06S4-H1-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AFN3460TS6RG-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HMS21N65F-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AUIRFSL4310-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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BSP149L6327-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
SOT223
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IPB085N06LG-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TSM7N90CI C0-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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FDMA1028NZ-F021-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)-B
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N+N-Ch,30V,5.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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H5N5006LD-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=950(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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P0903BR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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