产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FSA07N60A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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ACE3401BM+H-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FBF20-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,900V,5A,RDS(on)=1500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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APM2700AC-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N+P-Ch,±20V,5.5/-3.4A,RDS(on)=22/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
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JCS15N60CH-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BU1JTD2WNVX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SSON004X1010
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VS4640AC-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,40V,4.8A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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N6408-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK3515-01MR-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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AM90N03-03P-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
|
26+
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TO220
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FGH40N65UFDTU-VB
1
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,40A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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TPH4R008QM-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,140A,RDS(on)=2.65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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STD5NK50ZD-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STS2307A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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SIHP15N65E-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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