产品列表
共计 52893 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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4N0603-VB TO252
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FDS5692Z-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,60V,7.6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK3712-Z-E2-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,250V,17A,RDS(on)=176(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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BSC105N10LSF G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STD7LN80K5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,5A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DTN20N50SJ-VB
1
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中高压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,20A,RDS(on)=140(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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HM20N60A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AP40T03GP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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DMTH12H007SPSW-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,75A,RDS(on)=7.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IKD03N60RF-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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IGBT+FRD,600/650V,7A,VCEsat=1.65V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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AOTF5N50-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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30N06-VB TO220
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RF1S30P06SM-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TF4N90-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,950V,6A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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H7N0310LD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,30V,90A,RDS(on)=3.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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