产品列表
共计 52893 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV30XN-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
|
|
|
|
IRFI830GPBF-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
094N03S-VB QFN8(5X6)
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
HY3704P-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
IRFR234BTM-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,250V,17A,RDS(on)=176(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
|
|
|
|
SI7898DP-T1-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,150V,25A,RDS(on)=68(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4V
|
|
|
|
TPCA8008-H-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
|
|
|
|
B80NF55-06-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
HUF75321D3S-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
QM4006M6-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
SIHF8N50D-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
STB36NF02L-TR-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,30V,50A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
PMPB47XP,115-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN6(2X2)
|
P-Ch,-30V,-10A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
20N6LG-VB TO252
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
SiHFBC30AL-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO262
|
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|