产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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RD3L04BBJHRBTL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-50A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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AP9972GS-HF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CMD5N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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4539WS-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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SCT3080ARHR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247-4L
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N-Ch,650V,30A,RDS(on)=70(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +20V,Vth=2~5V
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TK25V60X5,LQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8X8
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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F7702-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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P-Ch,-20V,-9A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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TPA65R090M-VB
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,600V,43A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2SK2866-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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HM2319A-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRF6215SPBF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-150V,-20A,RDS(on)=150(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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SPN7002S23RG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UM4407-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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9997GP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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STU3030PL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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