产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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XP152A11E5MR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SIHFR9220TL-E3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-200V,-3.6A,RDS(on)=1160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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HPD800R900PD-G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,800V,6A,RDS(on)=850(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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ME25P03-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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HUF75345G3-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IXFP180N10T2-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,180A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPD65R380C6-VB
1
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,700V,11A,RDS(on)=390(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NP82N04PDG-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AM50P10-117P-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
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TO220
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P-Ch,-100V,-23A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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PMG370XN,115-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK9614-60E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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KNX6650A-VB TO220F
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,500V,15A,RDS(on)=290(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IMBG120R017M2HXTMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263-7L-HV
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N-Ch,1200V,100A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +20V,Vth=2~4.5V
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HAT2219R-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,8.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP2530GY-HF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N+P-Ch,±20V,5.5/-3.4A,RDS(on)=22/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
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