产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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T2910L-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMTH4M90LPSWQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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DMNH6035SPDW-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,17A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SiHL630S-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IPB037N06N3G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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APT30M85BVR-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
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UPA2821T1L-E1-AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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ISZ0702NLSATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=6.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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B75NH02L-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IPA65R190C6XKSA1-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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9N40L-TF1-T-VB
1
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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CMD04N03-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSO4822-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP10NB4R2LH-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO-252
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BSS214NL6327HTSA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23
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