产品列表
共计 52894 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FDS3812-NL-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,80V,3.5A,RDS(on)=62(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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F7N65-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,10A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI7386DP-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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J168-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-0.5A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SCH2602-TL-E-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-6
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N+P-Ch,±20V,0.6/-0.3A,RDS(on)=270/660(mΩ)@VGS=4.5V@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=1.0/-1.2V
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DTU7N65SJ-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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2N0607-VB TO262
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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SFR9224TF-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-250V,-6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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SIHFIBC20G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=1700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AG502EED3HRBTL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-60A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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MTE032N10RJ3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,40A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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TSM301K12CQ RFG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
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RS1E280GNTB-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SISS30DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=6.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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AM8958M8R-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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